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晶体管
NGTB40N135IHRWG参考图片

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NGTB40N135IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/40A IGBT FSII TO-24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB40N135IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB400AH120N
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暂无价格
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100:¥392.4264
参考库存:43668

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