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晶体管
FS75R06KE3参考图片

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FS75R06KE3

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库存:1,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥598.9678
598.9678
5
¥587.9842
2939.921
10
¥572.7631
5727.631
25
¥561.4744
14036.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R06KE3BOSA1 SP000082297
单位重量
180 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥877.897
参考库存:57194
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
50:¥31.0411
100:¥29.041
250:¥26.2047
500:¥23.5153
参考库存:57199
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥143.4648
250:¥131.8597
500:¥121.4072
参考库存:57204
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
暂无价格
参考库存:57209
晶体管
JFET JFET P-Channel
107:¥61.3929
500:¥55.935
1,000:¥48.7143
参考库存:57214
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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