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晶体管
BFP196WNH6327XTSA1参考图片

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BFP196WNH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:21,124(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.147
21.47
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.64523
1935.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.5 GHz
输出功率
-
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
196 BFP H6327 SP001643166 WN
单位重量
6.740 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
1:¥1,327.2528
5:¥1,295.3642
10:¥1,263.1705
25:¥1,245.4973
参考库存:4942
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:19904
晶体管
MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:6871
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
参考库存:13608
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.5822
5,000:¥3.8985
10,000:查看
参考库存:29910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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