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晶体管
R6003KND3TL1参考图片

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R6003KND3TL1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8591
3429.55
2,500
¥4.8025
12006.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
44 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6274
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥676.4971
2:¥655.5243
5:¥655.3661
10:¥634.2351
参考库存:51045
BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:51050
FF600R12IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:7653
BC847AW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:51057
IPB180N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.4526
2,000:查看
参考库存:51062

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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