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晶体管
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STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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库存：7,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP4M65DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6987/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥394.1892
200:¥372.1316
参考库存:56385
2N930/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥55.483
129:¥55.483
200:¥51.0195
500:¥46.4882
1,000:¥40.4992
参考库存:56390
JAN2N2369AUA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥284.0029
250:¥265.0189
参考库存:56395
ALD310700PCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥36.1939
100:¥34.4989
250:¥30.1936
500:¥29.3574
参考库存:56400
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50V
暂无价格
参考库存:56405

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    50万现货SKU

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