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晶体管
STGP4M65DF2参考图片

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STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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库存:7,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP4M65DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:47581
晶体管
MOSFET
1:¥3,207.2225
5:¥3,163.1186
10:¥3,052.3899
25:¥2,941.7403
参考库存:47586
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:47591
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:47596
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 15mA 15Vds -15Vgs
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:47601
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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