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晶体管
SIHB20N50E-GE3参考图片

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SIHB20N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥25.3572
25.3572
10
¥20.9728
209.728
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.7466
4186.65
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
184 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRG4BC30S-S
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:4521
TK72E12N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
1:¥17.7523
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:5008
NTMD4820NR2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,500:¥2.034
参考库存:26375
RCX220N25
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0512
参考库存:5632
SS8550DBU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO92 PNP 2W BULK
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
参考库存:42344

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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