TGF2934原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：4,172(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	14 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	1 A
输出功率	14 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	15.8 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.5 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113812

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIZF918DT-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F	1:¥12.2944 10:¥10.1474 100:¥7.7631 500:¥6.7122 3,000:¥4.9381 6,000:查看	参考库存:31410
NVTFS4C13NWFTAG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM	1:¥5.2206 10:¥4.294 100:¥2.7685 1,000:¥2.2261 1,500:¥1.8758	参考库存:16912
IPD80P03P4L07ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6218 500:¥5.8534 2,500:¥4.0906 10,000:查看	参考库存:13914
STGIPQ5C60T-HLS	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs	1:¥65.8564 10:¥59.551 25:¥56.7825 100:¥49.2567	参考库存:3216
RS1G150MNTB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET	1:¥6.9947 10:¥5.7969 100:¥3.729 1,000:¥2.9945 2,500:¥2.5312	参考库存:13918