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晶体管
ZXMP6A13FQTA参考图片

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ZXMP6A13FQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
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库存:153,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
806 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMP6
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.2 ns
典型接通延迟时间
1.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥217.6832
250:¥199.784
参考库存:59414
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,148.5998
参考库存:59419
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥224.8361
250:¥206.3154
参考库存:59424
晶体管
MOSFET Vds=-20V Id=-2.5A 6Pin
暂无价格
参考库存:59429
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 14A 600V Rugged IGBT
1:¥132.2439
10:¥121.5654
25:¥116.5708
100:¥102.6605
参考库存:10332
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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