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晶体管
BCY59-IX参考图片

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BCY59-IX

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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库存:8,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 At 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY59-IX PBFREE
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:431233
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥2.4747
10,000:¥2.3843
25,000:¥2.2939
参考库存:26235
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:43947
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
157:¥28.815
250:¥27.3573
500:¥24.5097
1,000:¥20.6677
参考库存:39847
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
2,000:¥3.5821
10,000:¥3.4465
24,000:¥3.3335
参考库存:43954
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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