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晶体管
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AFT05MS003NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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库存：67,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2837
24.2837
10
¥22.2836
222.836
25
¥20.2835
507.0875
100
¥18.2156
1821.56
1,000
¥13.673
13673
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 30 V
增益
20.8 dB
输出功率
3.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
30.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935312585147
单位重量
50.800 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU6N65M2-S
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:3712
MJE340
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
2,000:¥3.8307
10,000:¥3.6838
25,000:¥3.5708
参考库存:45924
APTGT450A60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,497.6116
5:¥1,460.6493
10:¥1,425.5402
25:¥1,373.741
参考库存:45929
VS-GT100TP60N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥1,466.5705
参考库存:45934
CMKT2907A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP
6,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
参考库存:45939

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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