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晶体管
IGO60R070D1AUMA1参考图片

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IGO60R070D1AUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
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库存：31,138(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥174.2686
174.2686
5
¥172.4267
862.1335
10
¥160.7538
1607.538
25
¥153.5218
3838.045
800
¥108.3444
86675.52
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-DSO-20
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolGaN
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP001300362
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2713BLTE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
暂无价格
参考库存:53058
JAN2N3700/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
112:¥70.2295
250:¥64.5456
500:¥58.8617
1,000:¥51.2568
参考库存:53063
TPC8037-H(TE12L,QM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-ch 30V 12A SOP-8
暂无价格
参考库存:53068
RN2115MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms
暂无价格
参考库存:53073
JANTXV2N5153L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥183.8058
10:¥179.0372
25:¥164.5167
参考库存:53078

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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