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晶体管
CSD19532KTTT参考图片

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CSD19532KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:6,931(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.9048
169.048
50
¥16.9048
845.24
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD19532KTT
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MOSFET
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥43.957
10:¥35.2673
100:¥32.1937
250:¥29.041
参考库存:5046
晶体管
MOSFET 20V single N-channel Trench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19693
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75 / 80
1:¥38.194
10:¥32.4988
100:¥28.1257
250:¥26.7358
4,000:¥18.4416
参考库存:19900
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:181532
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
1:¥2,165.8145
参考库存:5149
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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