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晶体管
IHW30N160R2FKSA1参考图片

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IHW30N160R2FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N160R2 IHW3N16R2XK SP000273701
单位重量
5.420 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBC847AWT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 45V
1:¥1.2317
10:¥1.06785
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:120591
2N3740
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Leaded Power Transistor
1:¥92.208
10:¥91.2814
25:¥84.4449
100:¥77.5293
参考库存:2218
KSA1298YMTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:79530
KSH200TF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.9549
参考库存:18112
SBC848BLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.1526
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.18419
参考库存:102659

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    50万现货SKU

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