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晶体管
TK7A50D(STA4,Q,M)参考图片

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TK7A50D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK7A50D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SD2703TL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN LOW
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:14871
2SK2009TE85LF
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:6778
2SA1416S-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 100V
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:16085
DTA123EETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:24497
IRFB7537PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.8026
参考库存:7914

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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