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晶体管
IPD30N06S2L23ATMA3参考图片

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IPD30N06S2L23ATMA3

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库存:44,221(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
15.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
IPD30N06S2L-23 SP001061286
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:2791
晶体管
MOSFET N-channel 150 V StripFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4241
500:¥6.5653
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:23993
晶体管
达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington
1:¥3.0736
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:3510
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
1,000:¥10.9836
2,000:查看
参考库存:2772
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:13319
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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