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晶体管
STGP6M65DF2参考图片

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STGP6M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:14,056(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:93451
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 300V 0.5A
1:¥2.8476
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:76228
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.8885
10:¥24.8148
100:¥20.4417
250:¥19.7524
500:¥17.7523
参考库存:7995
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
1:¥1.7628
10:¥1.1865
100:¥0.49946
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26894
参考库存:1197972
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:31874
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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