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晶体管
FF300R12KT4PHOSA1参考图片

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FF300R12KT4PHOSA1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
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库存:4,710(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,018.5142
1018.5142
5
¥998.5358
4992.679
10
¥951.9685
9519.685
25
¥932.0692
23301.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT4P SP001056206
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K
暂无价格
参考库存:49117
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:153438
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥167.5903
5:¥160.0532
10:¥155.0586
25:¥142.4591
参考库存:49124
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥2.0001
500:¥1.6498
3,000:¥1.1639
6,000:查看
参考库存:28360
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:120487
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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