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晶体管
FD150R12RT4参考图片

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FD150R12RT4

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库存:4,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥417.7836
417.7836
5
¥408.4046
2042.023
10
¥392.4942
3924.942
25
¥379.8156
9495.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
790 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FD150R12RT4HOSA1 SP000711858
单位重量
152 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:3059
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V,1.7A PNP low VCE sat (BISS) transi
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:27971
晶体管
MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:7923
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:51675
晶体管
MOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
1,500:¥4.7573
参考库存:10402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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