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晶体管
STGFW30V60F参考图片

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STGFW30V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存:4,034(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
58 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW30V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:48127
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
3,000:¥3.7968
参考库存:48132
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 153 mo FET
1,500:¥1.3786
9,000:¥1.2882
24,000:¥1.2091
49,500:¥1.1865
参考库存:48137
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 175W 600Vcbo 400Vceo 6A Ic 5.0Vce
180:¥44.6463
260:¥40.9512
500:¥34.4989
参考库存:48142
晶体管
MOSFET BUK964R8-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
4,800:¥5.8308
9,600:¥5.6048
参考库存:48147
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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