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晶体管
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STGFW30V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存：4,034(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
58 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW30V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5795/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥259.335
200:¥242.046
参考库存:51618
JANTX2N3998
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,150.7581
参考库存:51623
JAN2N3440L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.7503
1,000:¥83.2132
参考库存:51628
STGIPL20K60
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT
1:¥160.1323
5:¥158.4486
10:¥147.691
25:¥141.0805
参考库存:2496
STI270N4F3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:6898

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    50万现货SKU

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