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晶体管
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NGTB35N60FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/35A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥32.1146
32.1146
10
¥27.2782
272.782
100
¥23.6622
2366.22
250
¥22.4418
5610.45
500
¥20.1366
10068.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPFJ175 TR
Central Semiconductor
晶体管
JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold
6,000:¥1.6837
12,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
48,000:¥1.5368
参考库存:40290
APTGLQ300A120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥1,193.6303
参考库存:40295
STL28N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
3,000:¥12.2153
6,000:¥11.752
参考库存:40300
RJK0332DPB-01#J0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
暂无价格
参考库存:40310
SI4364DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 20A 1.6W
2,500:¥13.3679
5,000:¥12.8368
参考库存:40315

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