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晶体管
SIHU4N80E-GE3参考图片

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SIHU4N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
1
¥15.142
15.142
10
¥12.5995
125.995
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0625
7062.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥310.5918
250:¥304.1282
参考库存:38257
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:38262
STU5N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:3657
TK40J60U(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08
暂无价格
参考库存:38269
PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:38274

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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