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晶体管
SQ3987EV-T1_GE3参考图片

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SQ3987EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
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库存:102,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥3.9889
39.889
100
¥2.9606
296.06
500
¥2.4295
1214.75
3,000
¥1.7176
5152.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms, 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.2 nC, 12.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.67 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ3987EV
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.2 S, 4.2 S
下降时间
2.2 ns, 2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns, 2.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns, 18.4 ns
典型接通延迟时间
6.6 ns, 6.6 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥48.4092
10:¥43.6406
50:¥39.7308
100:¥35.8888
参考库存:2400
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.5369
10:¥2.9606
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1865
参考库存:19962
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
1:¥1,834.4759
5:¥1,795.7508
10:¥1,756.9466
50:¥1,756.9466
参考库存:1884
晶体管
MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
2,000:¥8.9948
4,000:查看
参考库存:128496
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA
1:¥0.84524
10:¥0.83733
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
3,000:¥0.15368
参考库存:7550793
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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