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产品分类

晶体管
IPW65R190CFDAFKSA1参考图片

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IPW65R190CFDAFKSA1

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库存:2,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.499
36.499
10
¥30.962
309.62
100
¥26.894
2689.4
250
¥25.5154
6378.85
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW65R190CFDA IPW65R19CFDAXK SP000928268
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/PNP RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:42865
晶体管
MOSFET Nch 30V Vds 2.5A 0.07Rds(on) 3.7Qg
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:32807
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥7.6049
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.4296
1,000:¥3.4917
2,500:¥3.4917
参考库存:15019
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.6385
参考库存:20791
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:472803
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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