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晶体管
HGTG20N60A4D参考图片

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HGTG20N60A4D

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库存:5,554(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.1092
37.1092
10
¥31.5835
315.835
100
¥27.3573
2735.73
250
¥25.9674
6491.85
500
¥23.278
11639
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60A4D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60A4D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
5,000:¥1.695
参考库存:25829
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 100mA
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:28276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
参考库存:6748
晶体管
MOSFET 650V N-Ch PFC FET 30Vgs 3.0nC 2.44Ohm
1:¥7.7631
10:¥6.3506
100:¥5.2997
500:¥4.0906
2,500:¥3.277
10,000:查看
参考库存:13240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W NPN
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:15412
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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