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晶体管
DMP21D0UFB-7B参考图片

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DMP21D0UFB-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
2,500
¥0.71416
1785.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
770 mA
Rds On-漏源导通电阻
960 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
430 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1 mm
产品
MOSFET
系列
DMP21D0UFB
晶体管类型
1 P-Channel, ESD
宽度
0.6 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
50 mS
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.7 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N7370
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
1:¥12,765.045
5:¥12,560.8766
参考库存:3736
QPD1013SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
1:¥1,352.384
25:¥1,169.663
100:¥1,011.6777
参考库存:4128
ALD310700SCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
1:¥40.1828
10:¥38.4991
25:¥35.3464
50:¥33.7305
参考库存:4015
MPS8098
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 500mA 625mW
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6724
1,000:¥1.2656
参考库存:19587
DMG3413L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:47246

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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