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晶体管
FS225R12KE3参考图片

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FS225R12KE3

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库存:5,765(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,771.1555
2771.1555
5
¥2,604.1076
13020.538
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
325 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.15 kW
封装 / 箱体
EconoPACK+
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
162 mm
宽度
150 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS225R12KE3BOSA1 SP000100404
单位重量
1 kg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
参考库存:1851
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 40V
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:23668
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:62665
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 625mW, 25V, 1.5A
1:¥1.6159
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.23843
参考库存:1045347
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
参考库存:6719
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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