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晶体管
FF600R06ME3参考图片

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FF600R06ME3

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库存:2,585(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,213.7669
1213.7669
5
¥1,184.5677
5922.8385
10
¥1,155.1312
11551.312
25
¥1,138.927
28473.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
700 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1650 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R06ME3BOSA1 SP000374489
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
3,000:¥3.39
参考库存:46486
晶体管
MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
3,000:¥3.0397
参考库存:46491
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥58.7826
10:¥52.8614
25:¥48.1832
100:¥43.4937
参考库存:46496
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:31159
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
参考库存:46503
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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