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晶体管
IRFH7936TRPBF参考图片

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IRFH7936TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
54 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577886
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PRMH9Z
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:50636
STGWA30H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package
600:¥16.3624
1,200:¥13.8312
3,000:¥13.1419
5,400:¥12.5995
参考库存:50641
MRF8S9232NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2
250:¥738.5115
参考库存:50646
AFT18S230SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
250:¥714.838
参考库存:50651
MMBF170Q-13-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:50656

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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