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晶体管
ZXTN2007GTA参考图片

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ZXTN2007GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN200
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
7 A
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥7.9891
10:¥6.8478
100:¥5.2545
500:¥4.6443
1,500:¥3.2544
9,000:查看
参考库存:10931
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
1:¥12.3735
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.7348
参考库存:26683
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:15963
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 15A 1.9W 1800pF
2,500:¥2.1244
10,000:¥2.0453
25,000:¥1.9549
参考库存:26690
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.53788
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.4068
参考库存:26695
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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