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晶体管
STGP40V60F参考图片

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STGP40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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库存：28,077(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.5262
1552.62
250
¥14.7578
3689.45
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP40V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2221AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥474.4079
100:¥467.9556
200:¥441.7509
参考库存:53738
RM04N30S2
Rectron
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
12,000:¥0.34578
24,000:¥0.33787
参考库存:53743
RM50N150DF
Rectron
晶体管
MOSFET DFN MOSFET
5,000:¥4.9607
10,000:¥4.5313
参考库存:53748
STD5N62K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥8.9948
250:¥7.9891
2,500:¥5.3788
5,000:查看
参考库存:53753
JAN2N3418S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:53758

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    50万现货SKU

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