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晶体管
IPD65R400CEAUMA1参考图片

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IPD65R400CEAUMA1

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库存:40,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1924
61.924
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3222
3322.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15.1 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
118 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD65R400CE SP001466800
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
3,000:¥13.5261
6,000:¥13.0628
参考库存:37317
晶体管
MOSFET -100V, -12A, P Chann el Mosfet
30,000:¥2.8815
参考库存:37322
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1,000:¥35.2673
2,000:¥34.4198
参考库存:37327
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:37332
晶体管
MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V
1:¥15.2098
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:37337
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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