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晶体管
BSL308PEH6327XTSA1参考图片

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BSL308PEH6327XTSA1

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库存:163,413(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0906
40.906
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
4949.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 1.2 nC, - 1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.6 S, 4.6 S
下降时间
2.8 ns, 2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.7 ns, 7.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.3 ns, 15.3 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSL308PE H6327 SP001101004
单位重量
15 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥6.2263
10:¥5.2206
100:¥3.3674
1,000:¥2.7007
4,000:¥2.7007
参考库存:27607
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
1:¥13.1419
10:¥11.2209
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.5088
参考库存:16404
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:30581
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥740.4325
5:¥726.8273
10:¥694.0912
25:¥670.9714
参考库存:1248
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
1:¥7.8422
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:47485
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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