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晶体管
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PD57060TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
600
¥311.6653
186999.18
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN5618P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH 60V
1:¥3.6838
10:¥3.0962
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:202451
PBLS2004D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:28343
PEMD4,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:28380
BSP372N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥5.6048
10:¥4.7121
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
参考库存:14822
SBC847CWT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR NPN 45V
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
10,000:¥0.43844
20,000:查看
参考库存:53609

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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