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晶体管
STGW60H60DLFB参考图片

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STGW60H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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库存：5,584(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGW80V60F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
1:¥84.9873
10:¥76.7609
25:¥73.224
100:¥63.5512
参考库存:10061
JANTX2N3057A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥107.802
250:¥98.2761
500:¥91.982
1,000:¥84.3658
参考库存:56800
JANTXV2N3019S/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥182.495
250:¥167.4321
500:¥159.3639
参考库存:56805
BCP52
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 PNP GP AMP
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
4,000:¥0.97632
参考库存:7523
JANTX2N4957UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥320.581
250:¥299.2127
参考库存:56812

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