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晶体管
STGW60H60DLFB参考图片

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STGW60H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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库存:5,584(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.3844
10:¥2.147
100:¥1.4803
500:¥1.2091
3,000:¥0.76049
9,000:查看
参考库存:18677
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
700:¥1.8645
2,100:¥1.5933
参考库存:15554
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -25V -500mA BULK HFE/300
1:¥3.9211
10:¥3.3561
100:¥2.1131
1,000:¥1.582
2,500:¥1.356
参考库存:31411
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 80V 65W NPN
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:15323
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥3.2318
10:¥2.3504
100:¥1.356
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.84524
参考库存:16145
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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