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晶体管

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APTGT35X120T3G

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库存:52,873(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥678.8023
678.8023
5
¥656.9029
3284.5145
10
¥636.3934
6363.934
25
¥606.6518
15166.295
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:22473
晶体管
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥1.4238
500:¥1.1413
3,000:¥0.78422
6,000:查看
参考库存:39680
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF Osc
1:¥44.1039
10:¥43.7197
25:¥39.7986
100:¥35.9566
参考库存:14772
晶体管
MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
1:¥93.4397
100:¥89.8237
500:¥85.4506
参考库存:37094
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:28136
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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