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晶体管
FD300R12KS4参考图片

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FD300R12KS4

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库存:31,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,032.1194
1032.1194
5
¥1,011.8246
5059.123
10
¥964.6471
9646.471
25
¥944.3636
23609.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1950 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FD300R12KS4HOSA1 SP000396766
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.4361
250:¥20.2835
800:¥15.368
2,400:查看
参考库存:10375
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
参考库存:56377
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,000:¥2.0001
参考库存:76379
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias resistor built- in transistor (BRT)
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:46723
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
参考库存:21386
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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