NXH80B120H2Q0SG原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.2 V
在25 C的连续集电极电流	40 A
栅极—射极漏泄电流	200 nA
Pd-功率耗散	103 W
封装 / 箱体	Q0BOOST
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
商标	ON Semiconductor
安装风格	Press Fit
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	24
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVMFS5C456NWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN	1:¥7.1416 10:¥6.1246 100:¥4.7008 500:¥4.1584 1,500:¥2.9154 9,000:查看	参考库存:94979
DMT2004UFV-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V	1:¥4.5313 10:¥3.729 100:¥2.2713 1,000:¥1.7515 3,000:¥1.5029	参考库存:19981
APT15GT60BRG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single	1:¥41.2676 10:¥33.1203 25:¥32.5779 100:¥30.1936	参考库存:45325
NSS60201SMTTBG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)	1:¥4.1471 10:¥3.4691 100:¥2.1131 1,000:¥1.6385 3,000:¥1.3899	参考库存:45330
DMG3414UQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V	1:¥3.0736 10:¥2.3843 100:¥1.2882 1,000:¥0.96841 2,500:¥0.83733 10,000:¥0.78422	参考库存:54993