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晶体管
FDP075N15A-F102参考图片

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FDP075N15A-F102

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库存:53,234(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.8149
26.8149
10
¥22.826
228.26
100
¥19.7524
1975.24
250
¥18.7467
4686.675
500
¥16.8257
8412.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
333 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP075N15A
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
FDP075N15A_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 9A 2.5W
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:13387
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:13784
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
1:¥1,219.6768
5:¥1,190.3307
10:¥1,160.7473
25:¥1,144.5318
参考库存:2096
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
4,000:¥4.1923
8,000:查看
参考库存:5268
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:16560
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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