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晶体管
TK31V60X,LQ参考图片

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TK31V60X,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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库存:1,391(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥30.1258
301.258
100
¥27.5042
2750.42
250
¥24.8148
6203.7
2,500
¥17.8314
44578.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN8x8-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
8 mm
系列
TK31V60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
37.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.7743
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:82840
晶体管
MOSFET 20V 10A P-Channel
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
2,500:¥4.7573
10,000:查看
参考库存:21797
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:4959
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
参考库存:6606
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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