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晶体管
2SC4915-O,LF参考图片

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2SC4915-O,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Radio-Frequency Bipolar Transistor
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数量单价合计
1
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4.4522
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.2204
122.04
1,000
¥0.9379
937.9
3,000
¥0.77631
2328.93
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
最大直流电集电极电流
20 mA
增益带宽产品fT
550 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SC4915
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 1 mA, 6 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 1 nA, 6 V
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847CE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.3108
10:¥1.2204
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:52833
RJK4518DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET - Lead Free
1:¥52.7936
10:¥47.4826
25:¥43.2564
50:¥40.115
参考库存:52838
RJP60D0DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥21.8994
10:¥19.5151
25:¥17.5941
50:¥16.7466
参考库存:52843
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥49.72
10:¥44.409
25:¥39.9568
50:¥38.194
参考库存:52848
BC847AE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.2204
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:52853

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