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晶体管
IRFS3107TRLPBF参考图片

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IRFS3107TRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg
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库存:21,657(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
500
¥19.1309
9565.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
230 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
160 nC
Pd-功率耗散
370 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001576238
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,048.4027
参考库存:37180
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥299.7551
250:¥293.4497
参考库存:37187
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
250:¥892.8808
参考库存:37192
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
6:¥4,392.5586
参考库存:37197
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 350mW 6.0A
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:37202
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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