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晶体管
SCT3040KLGC11参考图片

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SCT3040KLGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
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库存:3,282(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥261.3351
261.3351
5
¥258.6457
1293.2285
10
¥241.0516
2410.516
25
¥230.2149
5755.3725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
107 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
262 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
8.3 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
39 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SCT3040KL
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 AF Trans Darlington PNP 60V 0.5A
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:270054
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥283.6978
5:¥270.9401
10:¥262.4877
25:¥241.1985
参考库存:4731
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4533
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:41110
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
5,000:¥10.2943
参考库存:130592
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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