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晶体管
IRFB4229PBF参考图片

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IRFB4229PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
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库存：31,400(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.8149
26.8149
10
¥22.826
228.26
100
¥19.7524
1975.24
250
¥18.7467
4686.675
500
¥16.8257
8412.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001565910
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3008SCP10-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
3,000:¥3.39
参考库存:46486
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
3,000:¥3.0397
参考库存:46491
APT23F60S
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥58.7826
10:¥52.8614
25:¥48.1832
100:¥43.4937
参考库存:46496
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:31159
DMJ70H600SH3
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
参考库存:46503

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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