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晶体管
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MW6S010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
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数量单价合计
1
¥159.7481
159.7481
10
¥146.9226
1469.226
25
¥140.3912
3509.78
100
¥124.0966
12409.66
500
¥107.1918
53595.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
125 mA
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
系列
MW6S010N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
61.4 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935319268528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU8N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
1:¥26.2838
10:¥22.3627
100:¥19.3682
250:¥18.3625
参考库存:39075
2SK3482-AZ
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.752
25:¥10.5316
100:¥9.4468
参考库存:39080
STWA63N65DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥84.1398
参考库存:4475
TSC5302DCH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
15,000:¥1.4916
24,375:¥1.4125
48,750:¥1.3786
参考库存:39087
SI4890DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
2,500:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:39092

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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