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晶体管
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VRF2933

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥860.608
860.608
2
¥833.8722
1667.7444
5
¥833.6349
4168.1745
10
¥806.7409
8067.409
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
42 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥53.9462
10:¥48.7934
25:¥46.4882
100:¥40.341
1,000:¥30.5778
2,000:查看
参考库存:7272
SQJA60EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥4.4748
500:¥3.8533
3,000:¥2.8363
6,000:查看
参考库存:100454
MMBT3906LT1HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:25531
BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
5,000:¥7.7631
参考库存:89143
APTGT50A120T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥426.3038
5:¥413.3992
10:¥401.263
25:¥376.2109
参考库存:3280

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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