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晶体管
HGTD7N60C3S9A参考图片

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HGTD7N60C3S9A

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库存:40,718(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥6.3958
15989.5
5,000
¥6.1585
30792.5
10,000
¥5.9212
59212
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTD7N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTD7N60C3S9A_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:152706
晶体管
MOSFET 500v QFET
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:5288
晶体管
MOSFET 30V P channel MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:8280
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥140.1539
10:¥128.8652
25:¥123.5542
100:¥108.8868
参考库存:4937
晶体管
MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
1:¥17.289
10:¥15.594
100:¥12.5995
500:¥9.831
参考库存:24834
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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