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产品分类

晶体管
HGTD7N60C3S9A参考图片

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HGTD7N60C3S9A

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库存:40,718(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥6.3958
15989.5
5,000
¥6.1585
30792.5
10,000
¥5.9212
59212
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTD7N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTD7N60C3S9A_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V 500mA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,000:¥0.99892
参考库存:11002
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 4.5A DPAK-2
1:¥8.6784
10:¥7.4693
100:¥5.7291
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
2,500:¥3.5482
参考库存:17459
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.7574
5,000:¥4.7347
10,000:查看
参考库存:11846
晶体管
MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.4184
500:¥5.6839
1,500:¥3.9776
9,000:查看
参考库存:11483
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
800:¥6.2715
参考库存:8030
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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