PSMN016-100PS,127原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	96 A
Rds On-漏源导通电阻	28.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	49 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	148 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 100 V 16 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	18 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	23 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	17 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC860C,235	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13	1:¥1.6159 10:¥1.4238 100:¥0.50737 1,000:¥0.33787 10,000:¥0.22261 20,000:查看	参考库存:33775
IPA65R225C7	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS	1:¥19.21 10:¥16.3624 100:¥13.0628 500:¥11.4469 1,000:¥9.4468	参考库存:5322
STB28N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package	1:¥33.2672 10:¥28.2726 100:¥24.5097 250:¥23.278 1,000:¥17.5941 2,000:查看	参考库存:7164
2DA1774S-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR	1:¥3.1527 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:17166
PZTA06	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose	1:¥3.4578 10:¥2.6781 100:¥1.4577 1,000:¥1.09158 4,000:¥0.9379	参考库存:22118