QPD1013SR原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTMD5838NLR2G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM	1:¥4.6895 10:¥3.842 100:¥2.4747 1,000:¥1.9775 2,500:¥1.6724	参考库存:129667
2N7002DW	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect	1:¥3.3787 10:¥2.4069 100:¥1.10627 1,000:¥0.85315 3,000:¥0.72207	参考库存:304669
IPA075N15N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3	1:¥49.946 10:¥42.4202 100:¥36.8041 250:¥34.8831 500:¥31.2784	参考库存:7171
IPP60R280P7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LOW POWER_NEW	1:¥15.142 10:¥12.9046 100:¥10.2943 500:¥8.9948 1,000:¥7.4919	参考库存:13473
SIHB180N60E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	1:¥26.1256 10:¥21.6734 100:¥17.8314 250:¥17.2099	参考库存:9645