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US6M2TR

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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6498
4949.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 30 V
Id-连续漏极电流
1 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms, 390 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV, 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC, 2.1 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.77 mm
长度
2 mm
系列
US6M2
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
类型
MOSFET
宽度
1.7 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
6 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 9 ns
零件号别名
US6M2
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FMMT624TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
10,000:¥1.4238
参考库存:41503
DCP51-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -45V
2,500:¥1.00683
参考库存:56398
SIHU6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥13.0628
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:21400
P5B52HP2-5071
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Voltage Low Noise
3,000:¥8.9157
6,000:¥7.7631
9,000:¥7.5823
参考库存:41512
APTGT50H120T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥548.5585
参考库存:41517

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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