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晶体管
2N6034G参考图片

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2N6034G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
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库存:57,106(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.633
46.33
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3843
2384.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6034
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
681 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.5989
参考库存:81589
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:13926
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT
1:¥78.8401
10:¥71.2352
25:¥67.9243
100:¥59.0086
参考库存:6273
晶体管
IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:6760
晶体管
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
4,800:¥5.0624
9,600:查看
参考库存:28027
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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